SJ 20642.5-1998 半导体光电模块GH82型光耦合器详细规范
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ID： |
9E32E5EDB59841DB88000B50DE84355D |
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文件大小(MB)： |
0.62 |
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页数： |
13 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL5980 SJ 20642/5-1998,半导体光电模块,GH82型光耦合器详细规范,Semiconductor optoelectronic module,Detail specification for type,GH82 opto - couplers,1998 - 03-11 发布1998 - 05 - 01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电模块,GH82型光耦合器详细规范SJ 20642/5—1998,Soniccmductor optoelectronic module,Detail ^tedfication for type GH82,opto - couplers,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 GH82型光耦合器（以下简称产品）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于产品的研制、生产和采购,2引用文件,GB 3431.1 - 82半导体集成电路文字符号 电参数文字符号,GB 3439 — 82半导体集成电路!Tし电路测试方法的基本原理,GB 11499 — 89半导体分立器件文字符号,GJB 150 - 86军用设备环境试验方法,GJB 179- 86计数抽样程序及表,GJB 360 — 87电子及电气元件试验方法,GJB 548 - 88微电子器件试验方法和程序,SJ 2215 - 82半导体光耦合器测试方法,SJ 20642 - 97半导体光电模块总规范,3要求,3.1 详细要求,产品的要求应符合SJ 20642和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部1998 - 03-11发布1998 - 05 - 01 实施,SJ 20642/5-1998,3.2 设计、外形结构和尺寸,3.2.1 产品的设计应满足本规范对性能指标和技术图纸的规定,3.2.2 外形结构为陶甕金属封装,尺寸应符合图1的规定,尺寸符号A ム瓦C e 曲L D Z,最小值- 0.51 0.35 0.20 - 一3.5 - -,公称值- - - - 2.54 7.62 - - -,最大值5.5 - 0.59 0.36 - 5.0 10.16 1.27,图1外形尺寸,3.2.3 电路图见图2,3.2.4 引出端排列应符合图3的规定,图2电路图图3引出端排列,ク,SJ 20642/5-1998,3.3 外观质量,产品的外表面应平整光洁,无毛刺、划伤、裂痕等影响寿命、使用或外观的缺陷,3.4 材料和元器件,产品所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验的合格品,3.5 制造要求,产品的制造应按有关工艺文件的规定执行,3.6 标志要求,产品应有下列标志:型号、制造厂（所）标志,批识别代码,3.7 最大额定值、主要光电特性和测试要求,3.7.1 最大额定值应符合表1的规定,表1,项 目符号数值单位,工作环境温度Ta -55.100 X.,贮存温度% -55.125 ℃,隔离电压D ho 2500 V,红外发射二极管:,反向电压ム5 V,正向电流力40 mA,集成电路:,电源电压ッh 15 V,输出电压% 15 V,输出电流Vo 12 mA,选通端输入髙电平电压15 V,选通端输入低电平电压Vel 0.8 V,总耗散功率Pw 85 mW,注:1）即近50%, t = Imino,2） %；50- 100t时,按0.6mA/セ线性降额,3）时间不超过!min,3.7.2 主要光电特性和测试要求应符合表2的规定,3,SJ 20642/5-1998,表2,特性符号测试方法,测试条件,除非另有规定,％ = 25七,极限值,单位,最小最大,耦合器隔离特性:,隔离电阻Rto SJ 2215.13 VIO = 500V IO10 - n,隔离电容,耦合器开关特性:,Cio SJ 2215.12 f = 1MHz, K = 0 - 5 pF,上升时间レSJ 2215.11 /n>= 10mA, J?l = 360D - 50 ns,下降时间/=lMHz, D： 1/1, Vcc = 5V - 20 ns,传输延迟时间GB 3439 3.4 /n>= 10mA, Rl = 36OC1 - 200 ns,tPHL GB 3439 3.5 CL=15pF, /=lMHz,D：l/1, Voc = 5V,- 200 ns,选通端传输延迟附录A A3 /pp= 10mA, Rl = 360O - 30 ns,时间,红外发射二极,管输入特性:,ヵEHL 附录A A3 Cl= 15pF, f = 1MHz,D：l/1, ^ = 3.0￥,Vel=0.5V, VCc = 5V,30 ns,反向电流SJ 2215.4 % = 5V - 1.0 pA,正向电压,集成电路输出特性,Vf SJ 2215.2 /(>= 10mA - 1.5 V,输出截止态电流/(XOFF) GB 3439 2.22 Vcc = 5.5V, Vo = 5.5V,厶二250凶,％ = 2.0V,- 100 心,输出电流/0 附录AA4 Vcc = 5.5V, VE = 2.0V,ZF= 10mA, 7?l = 360(1,12 一mA,输出髙电平电压レOH GB 3439 2.2 h = 4.75V,厶= 10mA,% = 0.5V,2.4 - V,输出低电平电压h GB 3439 2.5 Pec= 5.5V, /K=10mA,% = 2.0V, 7OL = 4mA,- 0.6 V,选通端髙电平电流/eh 附录A Al Vee = 5.5V, % = 2.0V ……
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